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        超声传感器系列陶瓷

        发布人:admin  发布时间:2018年09月26日

        L1,Φ9.2x3.0单侧卷

        元件尺寸(单位:mm)
        外径 内径 厚度
        Φ9.2 - 3.0

        1、应用:

        温度稳定性好,灵敏度高。广泛应用于超声波传感器流量计等。

        2、主要性能参数:

        2.1   厚度頻率:     Fst=225KHz
        2.2   静态电容:     CT=380pF±12.5%
        2.3   诱电损失:     tanδ=max.2.0%
        2.4   机电耦合系数:Kp≥0.60
        测试环境:at 25℃±5℃,60%R.H
        测试条件:at 1KHz,1Vrms

        P33,Φ7.1xΦ4.6x6.0轴向极化镀金圆管

        元件尺寸(单位:mm)
        外径 内径 高度
        Φ7.1 Φ4.6 6.0

        1、应用:

        极化方向与电极面垂直,用于扭矩测量的传感器。

        2、主要性能参数:

        2.1   頻率:         Fr=240KHz
        2.2   静态电容:     CT=1400pF±12.5%
        2.3   诱电损失:     tanδ=max.2%   
        2.4   压电应变常数:d33≥420P/N
        测试环境:at 25℃±5℃,60%R.H
        测试条件:at 1KHz,1Vrms

        P33,Φ20x2M圆卷

        元件尺寸(单位:mm)
        外径 内径 厚度
        Φ20 - 1.0

        1、应用:

        温度稳定性高,灵敏度高。广泛应用于超声检测。

        2、主要性能参数:

        2.1   頻率:         Fst=2MHz
        2.2   静态电容:     CT=4600pF±12.5%
        2.3   诱电损失:     tanδ=max.0.5%
        2.4   压电应变常数:d33≥450P/N
        测试环境:at 25℃±5℃,60%R.H
        测试条件:at 1KHz,1Vrms

        P44,Φ28x1M卷

        元件尺寸(单位:mm)
        外径 内径 厚度
        Φ28 - 2.0

        1、应用:

        广泛应用于超声检测。

        2、主要性能参数:

        2.1   頻率:         Fst=1MHz
        2.2   静态电容:     CT=3800pF±12.5%
        2.3   诱电损失:     tanδ=max.0.5%
        2.4   压电应变常数:d33≥310P/N
        测试环境:at 25℃±5℃,60%R.H
        测试条件:at 1KHz,1Vrms

        P44,Φ45x10双侧卷

        元件尺寸(单位:mm)
        外径 内径 厚度
        Φ45 - 10

        1、应用:

        广泛应用于超声波物料检测等设备。

        2、主要性能参数:

        2.1   頻率:         Fst=215KHz
        2.2   谐振阻抗:     Zrt=max. 6Ω
        2.3   静态电容:     CT=1950pF±12.5%
        2.4   诱电损失:     tanδ=max.0.5%
        2.5   压电应变常数:d33≥300P/N
        测试环境:at 25℃±5℃,60%R.H
        测试条件:at 1KHz,1Vrms

        P48,Φ108xΦ100x56,九分之一圆管

        元件尺寸(单位:mm)
        外径 内径 长度 宽度
        Φ108 Φ100 53 38.5

        1、应用:

        适用于大功率径向发射拼装换能器设备。

        2、主要性能参数:

        2.1   頻率:         Fst=506kHZ 
        2.2   静态电容:     CT=5600pF±12.5%
        2.3   诱电损失:     tanδ=max.2%   
        2.4   机电耦合系数:Kt≥0.44
        测试环境:at 25℃±5℃,60%R.H
        测试条件:at 1KHz,1Vrms

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